The　amorphous　oxide　semiconductors　(AOSs)　are　promising　for　emerging　large-area　optoelectronic　applications　because　of　capability　of　large-area,　uniform　deposition　at　low　temperatures　such　as　room　temperature　(RT).　Indium-gallium-zinc　oxide　(InGaZnO)　thin　film　is　a　promising　amorphous　semiconductors　material　in　thin　film　transistors　(TFT)　for　its　excellent　electrical　properties.　In　our　work,　the　InGaZnO　thin　films　are　fabricated　on　the　SiO2　glass　using　pulsed　laser　deposition　(PLD)　in　the　oxygen　partial　pressure　altered　from　1　to　10　Pa　at　RT.　The　targets　were　prepared　by　mixing　Ga2O3,　In2O3,　and　ZnO　powder　at　a　mol　ratio　of　1:　7:　2　before　the　solid-state　reactions　in　a　tube　furnace　at　the　atmospheric　pressure.　The　targets　were　irradiated　by　an　Nd:YAG　laser(355nm).　Finally,　we　have　three　films　of　270nm,　230nm,　190nm　thick　for　1Pa,　5Pa,　10Pa　oxygen　partial　pressure.　The　product　thin　films　were　characterized　by　X-ray　diffraction　(XRD),　atomic　force　microscopy　(AFM),　Hall-effect　investigation.　The　comparative　study　demonstrated　the　character　changes　of　the　structure　and　electronic　transport　properties,　which　is　probably　occurred　as　a　fact　of　the　different　oxygen　partial　pressure　used　in　the　PLD.