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半导体器件热特性的电学法测量与分析
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利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具.本文利用电学法测量了GaAsMESFET在等功率下,加热响应曲线随电压的变化,并通过红外热像仪测量其温度分布,结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系.理论计算也表明了这一点.在等功率条件下,电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少.该方法可用来判断器件的热不均匀性.
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来源 :
半导体学报
年份: 1999
期: 05
页码: 3-5
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