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摘要:

提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法-温度斜坡快速评价法,并建立了自动评估系统,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能,和传统方法相比,耗时少,所需样品少,所得结果和传统方法一致.同时,针对传统AuGeNi/Au欧姆接触系统的缺点,提出了加TiN扩散阻挡层的新型欧姆接触系统.实验表明,新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统AuGeNi/Au欧姆接触系统.

关键词:

GdAsMESFET 扩散阻挡层 欧姆接触 激活能

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学电子工程系 北京
  • [ 2 ] 100022
  • [ 3 ] 石?

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来源 :

北京工业大学学报

年份: 1999

期: 03

页码: 1-4

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