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作者:

陈光华 (陈光华.)

摘要:

主要介绍了研究所近20 年来在新型薄膜半导体材料的制备、结构及特性研究方面所取得的成就,尤其是对非晶硅碳和非晶硅锗( a  Si C∶ H 和a  Si Ge∶ H)薄膜、金刚石和类金刚石薄膜、立方氮化硼( c  B N)薄膜、β C3 N4 薄膜和富勒烯薄膜的研究工作取得了重要成果,不少工作已达到国际先进水平,发表论文300 余篇

关键词:

β-C_3N_4薄膜 富勒烯薄膜 立方氮化硼薄膜 金刚石薄膜 非晶半导体薄膜

作者机构:

  • [ 1 ] 兰州大学电子材料研究所 甘肃兰州730000
  • [ 2 ] 北京工业大学应用物理系,北京100022

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来源 :

兰州大学学报

年份: 1999

期: 03

页码: 22-26

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