采用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）方法在较大面积（≥５ｃｍ２）镍衬底上生长立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．所用气体为硼烷、氨气和氢气的混合气体．实验发现，灯丝温度及其分布是影响ｃ－ＢＮ薄膜生长的主要因素．Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析表明，样品中立方相的成分随温度的升高而增加，当温度达到２０００℃时，样品中主要为立方相成分，无六方相（ｈ－ＢＮ）或其它杂相形成．用扫描电镜（ＳＥＭ）对样品表面不同位置形貌观察发现，立方相晶粒大小均匀且分布致密．Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测得样品中Ｂ原子与Ｎ原子的组分比大约为１１．当温度达到２０００℃以上时，样品中立方相成分减小，说明在合适的温度下，可制备具有理想化学...