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半导体器件金属化热电徙动的温度测试
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在金属化布线电徙动试验中，采用金属薄膜电阻测温法精确测量了样品的局部温度，在环境温度为150℃，电流密度为3×106A／cm2和5×106A／cm2时，金属薄膜温度分别高于环境温度32．5℃和100℃；提出了扩散电阻测温法，在电徙动试验中精确测量并适时监控样品局部温度，从而实现了电流密度指数因子动态测试．
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1999，半导体技术
1997，微电子学
1996，微电子学
1986，北京工业大学学报
来源 ：
北京工业大学学报
年份： 1998
期： 04
页码： 63-68
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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