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[期刊论文]
Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟
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用解析的方法模拟了T＝300K和77K时，fT和fmax与集电极电流密度Jc的关系，在大电流下考虑了异质结势垒效应的影响。模拟结果和用数值方法以及实验所得到的结果一致。同时，还建立了与之相应的Si／SiGeeb异质结和SiGe／Sibc异质结电容模型。
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来源 ：
固体电子学研究与进展
年份： 1998
期： 03
页码： 291-301
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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