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应变p型Si_(1-x)Ge_x层中补偿浅能级杂质的低温陷阱效应
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研究了ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层中补偿浅能级杂质（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）的低温陷阱效应。研究发现，１）三种补偿浅能级杂质Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ相比较，Ｓｂ的陷阱效应最小，Ａｓ的最大；２）Ｇｅ组份ｘ越大，低温陷阱效应越小；３）补偿浅能级杂质浓度ＮＤ越大，低温陷阱效应越显著，温度越低，陷阱作用越明显。
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来源 ：
微电子学
年份： 1998
期： 03
页码： 3-5
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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