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用分子束外延生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究．用光荧光技术测量退火样品的ｎ＝１量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大．对退火过程中ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱中三族元素的扩散过程进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下铝原子的扩散系数和扩散过程的激活能．９５０℃，３０ｓ退火条件下，铝原子的扩散系数为６６×１０－１６ｃｍ２／ｓ，扩散过程的激活能为５０ｅＶ．
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