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C~+离子注入Si单晶形成SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱
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利用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源产生的Ｃ＋离子，注入单晶Ｓｉ衬底，得到了ＳｉＣ埋层．利用Ｘ射线光电子能谱，研究了ＳｉＣ埋层中Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱．结果表明：Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱依赖于ＳｉＣ埋层中Ｃ原子的浓度分布，并且与ＳｉＣ埋层的有序度对应．
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来源 ：
物理学报
年份： 1998
期： 05
页码： 3-5
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理学部 物理与光电学院
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