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利用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源产生的Ｃ＋离子，注入单晶Ｓｉ衬底，得到了ＳｉＣ埋层．利用Ｘ射线光电子能谱，研究了ＳｉＣ埋层中Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱．结果表明：Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱依赖于ＳｉＣ埋层中Ｃ原子的浓度分布，并且与ＳｉＣ埋层的有序度对应．
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Source ：
物理学报
Year： 1998
Issue： 05
Page： 3-5
Cited Count：
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