高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
用Van der Pauw法研究硼重掺杂金刚石薄膜电学性质
作者：
收录：
摘要：
以B2O3作掺杂剂，用热丝辅助化学气相沉积法成功合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜．用VanderPauw法测量了掺硼金刚石薄膜的电阻率、霍耳迁移率以及载流子浓度随温度的变化关系．实验结果表明：杂质硼原子的激活能为0．078eV，室温迁移率为18cm2·V－1·s－1，远小于单晶金刚石的空穴迁移率．并根据实验结果对金刚石薄膜的导电机制、散射机制等作了分析．
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2000，人工晶体学报
2000，
1996，物理学报
来源 ：
半导体学报
年份： 1997
期： 08
页码： 598-602
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
理学部 物理与光电学院
全文获取
外部链接：
