作者：
邹德恕
(邹德恕.)
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陈建新
(陈建新.)
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沈光地
(沈光地.)
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高国
(高国.)
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杜金玉
(杜金玉.)
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张时明
(张时明.)
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袁颖
(袁颖.)
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王东凤
(王东凤.)
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邓军
(邓军.)
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W.X.Ni
(W.X.Ni.)
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G.V.Hansson
(G.V.Hansson.)
摘要：
本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理．
关键词：
发射区
电流增益
冻析效应
液氮温度
SiGe/SiHBT
异质结双极晶体管
杂质浓度
