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低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
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利用分子束外延技术，生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器．在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A／cm2，在腔长为2000μm时是113A／cm2，这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值．激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm－1和84％．
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来源 ：
半导体学报
年份： 1997
期： 05
页码： 321-324
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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