高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
作者：
收录：
摘要：
利用分子束外延技术，生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器．在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A／cm2，在腔长为2000μm时是113A／cm2，这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值．激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm－1和84％．
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2004，物理学报
1999，半导体学报
1999，中国激光
2004，半导体学报
来源 ：
半导体学报
年份： 1997
期： 05
页码： 321-324
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 6
归属院系：
信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
全文获取
外部链接：
