高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
硫掺杂C_(60)薄膜电学性质研究
作者：
收录：
摘要：
对硫掺杂Ｃ６０薄膜样品在４３３Ｋ进行真空退火，并测量了其电导率随温度的变化关系．发现硫掺杂后Ｃ６０薄膜的电导激活能减小，电导率显著增大．电导率随温度的变化曲线在３６８Ｋ到３８８Ｋ的范围内，存在一个电导率与温度的关系不严格遵循指数规律的过渡区，在过渡区的两侧硫掺杂的Ｃ６０薄膜则表现出明显的半导体特性，这是由于在不同温度范围内样品中硫分子的结构相变所引起的
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
1999，半导体学报
2013，催化学报
2000，材料科学与工程学报
来源 ：
物理学报
年份： 1997
期： 06
页码： 144-148
被引次数：
WoS核心集被引频次：
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 0
归属院系：
理学部 物理与光电学院
全文获取
外部链接：
