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带有TiN阻挡层的新型Au金属化系统在硅微波器件中的应用
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将带有ＴｉＮ、Ｗ和Ｍｏ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频大功率三极管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力和高温存储试验。结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的管子的寿命比用Ｗ作阻挡层的管子提高了两倍多：用ＴｉＮ作阻挡层的管子和用Ｗ作阻挡层的管子具有较好的耐高温特性，与Ｍｏ作阻挡层的管子相比它们承受的温度更高。
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来源 ：
北京工业大学学报
年份： 1996
期： 04
页码： 37-40
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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