采用高温溶液法在不同温度下生长了掺质量分别为摩尔原子质量的０．０３％和０．１％的Ｃｒ：ＫＴＰ晶体，确定了它们的最佳生长温度区间，并讨论了不同生长温度区间对Ｃｒ：ＫＴＰ晶体形态的影响。利用光学显微镜和扫描电镜观察了Ｃｒ：ＫＴＰ的３种生长缺陷。利用差热分析法分析了Ｃｒ２Ｏ３对ＫＴＰ晶体分解温度的影响。测定了Ｃｒ：ＫＴＰ品体的吸收光谱和蓝绿波段的荧光光谱，并用间接法估计了晶体中Ｃｒ４＋离子的含量。确定了摩尔原子质量的０．０３％为Ｃｒ：ＫＴＰ晶体的最佳掺质浓度，并用激光激发实验予以证明。