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[期刊论文]
Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究
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本文对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ，Ａｕ和ＧａＡｓ的互扩散。
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来源 ：
半导体杂志
年份： 1995
期： 04
页码： 21-24
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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