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作者:

李志国 (李志国.)

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摘要:

扼要介绍了Al在VLSI的作用及要求。指出了随着VLSI的发展,由Al金属化电迁徙引起的失效将成为影响VLSI可靠性的主要失效机理,并对由电迁徙引起的各种失效现象及相应的改进措施进行了分析。最后指出,随着Al金属化系统抗电迁徙性能的提高和新结构、新工艺的出现,Al在VLSI金属中的地位将会得到进一步的确认。

关键词:

可靠性 大规模集成电路 铝金属化

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学电子工程系

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来源 :

半导体情报

年份: 1995

期: 06

页码: 30-34

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