高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
VLSI中的Al金属化系统
作者：
收录：
摘要：
扼要介绍了Ａｌ在ＶＬＳＩ的作用及要求。指出了随着ＶＬＳＩ的发展，由Ａｌ金属化电迁徙引起的失效将成为影响ＶＬＳＩ可靠性的主要失效机理，并对由电迁徙引起的各种失效现象及相应的改进措施进行了分析。最后指出，随着Ａｌ金属化系统抗电迁徙性能的提高和新结构、新工艺的出现，Ａｌ在ＶＬＳＩ金属中的地位将会得到进一步的确认。
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2005，电子测量技术
2008，中国集成电路
1985，自然杂志
1986，北京工业大学学报
来源 ：
半导体情报
年份： 1995
期： 06
页码： 30-34
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 6
归属院系：
信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
全文获取
外部链接：
