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表面光电压法测量a-Si:H少子扩散长度的进一步研究
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建立用SPV法测量a-Si∶H薄膜少子扩散长度L_p的新的数学模型,推导出可供具有任意输入端口(电流输入或电压输入)的锁相放大器所使用的测量L_p的数学表达式,为改进测试过程和提高准确度创造了条件。对合理选择偏置光强度做了较细致的分析,并从实验技术上提出确定偏置光强度的选择准则,给出了测试结果;也分析了不同强度偏置光和不同金属与a-Si∶H肖特基结对测量结果的影响。
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来源 ：
太阳能学报
年份： 1993
期： 04
页码： 348-356
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