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[期刊论文]
氢化非晶硅光吸收系数的计量模式对少子扩散长度测量的影响
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报道了a—Si:H的光吸收系数计量模式对少子扩散长度SPV法测量结果的影响。得出了a-Si:H表面存在氧化层的结论,并导出了一个与实际情况较符合的吸收系数α的计量模型。实验证明这个新模型对a-Si:H/snO_2/Glass样品的实际测量结果与理论符合得很好。
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来源 ：
太阳能学报
年份： 1992
期： 04
页码： 363-366
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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