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魏明 (魏明.) | 志丹 (志丹.) | 张克从 (张克从.) | 王希敏 (王希敏.)

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CSCD

摘要:

<正> 为了进一步提高KTP晶体的倍频效率和抗光伤阀值,常采用掺杂改性的办法,从目前的报道看,KTP晶体的掺杂改性主要集中于置换K和P,而对置换Ti的KTP型晶体研究得甚少。本文选择了几种与Ti电负性相当,离子半径相差不大的+4和+5价离子进行掺杂生长实验。生长实验均以助熔剂法进行,在纯KTP生长溶液配方中,用上述掺杂金属氧化物部分替

关键词:

晶体生长 KTP

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学环化系
  • [ 2 ] 北京工业大学环化系 北京
  • [ 3 ] 100022
  • [ 4 ] 北京

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来源 :

人工晶体学报

年份: 1991

期: Z1

页码: 315

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