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KTiOPO_4晶体生长形态和生长缺陷研究
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本文系统研究了助熔剂法生长的KTiOPO_4晶体的生长形态和生长缺陷,分析了云雾状包藏、添晶、生长条纹、生长扇形界及着色等宏观生长缺陷产生的原因,提出了工艺上的改进办法,本文还用化学侵蚀法在光学显微镇下观测到KTiOPO_4晶体各显现晶面的位错蚀象,计算了各晶面位错密度的相对大小。
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2000，人工晶体学报
1992，硅酸盐学报
1994，北京工业大学学报
来源 ：
硅酸盐通报
年份： 1991
期： 04
页码： 20-25,29
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环境与生命学部 环境与能源工程学院
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