Indexed by：
Abstract：
已经生长出不同掺杂浓度的ZnWO_4:Ge~(4+)单晶。ZnWO_4:Ge~(4+)单晶的吸收谱在323nm处有一个强的吸收带,有助于荧光效率的提高。ZnWO_4:Ge~(4+)单晶的激发谱由405nm、450nm和465nm三个带组成。ZnWO_4:Ge~(4+)单晶的能量分辨率可高达14.9％,因而可在辐射探测器和X射线接收器等方面得到应用。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
硅酸盐学报
Year： 1989
Issue： 04
Page： 359-362
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 0
