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[期刊论文]
Si中S深能级的进一步研究
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用电流DLTS方法测量了N型Si中S形成的E_1—E_5 5个深能级。除E_1,E_2能级对应过去报争的S双施主外,E_3=E_c-0.31ev,E_4=E_c-0.16ev,E_5=E_c-0.15ev,可能是S对或S团形成的深能级。E_3,E_4能级的电子俘获截面约为10~(-16)cm~2,并与温度关系不大。
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1985，物理学报
来源 ：
中国科学院研究生院学报
年份： 1989
期： 02
页码： 52-57
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