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作者:

邹德恕 (邹德恕.) | 王东凤 (王东凤.) | 刘永刚 (刘永刚.)

摘要:

<正> 1.结构及工艺制造 SnO_2栅MOS型一氧化碳传感器芯片集成了一氧化碳传感器,内部加热电阻,测温二极管三元件。我们研制的MOS传感器的基本尺寸与参数如下:光刻版栅长为10μm,衬底电阻率为0.5~1Ωcm光刻版栅宽为5338μm,开始电压V_T为2~3V,柵氧厚度为500(?),几何图形如图1。

关键词:

MOS SnO_2 一氧化碳传感器

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学特种器件教研室

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来源 :

北京工业大学学报

年份: 1987

期: 03

页码: 109-111

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