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作者：

孙璟兰 (孙璟兰.) | 陈建新 (陈建新.) | 李名复 (李名复.)

摘要：

用快速的电流DLTS和最低温度达10K的低温样品架对过去报道过的n型Si中B~+,200keV,2.5　×　10~(11)cm~(-2)和P~+,240keV,4.4　×　10~(11)cm~(-2)离子注入产生的新能级重新作了测量.在注B~+样品中,发现三个新的电子陷阱E_6(0.16),E_7(0.15),E_8(0.08),其中E_7具有很大的浓度.在注P~+样品中,发现二个新的电子陷阱,其中E_7与注硼样品属于同一种中心,因此可能与硼无关.另一个E_3＂(0.09).

关键词：

最低温度 电子陷阱 离子注入 缺陷能级

作者机构：

  • [ 1 ] 中国科学技术大学研究生院
  • [ 2 ] 北京工业大学微电子学研究室

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来源 ：

半导体学报

年份： 1987

期： 05

页码： 545-547

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