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超晶格半导体材料和整数量子霍尔效应
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本文简要地综述了超晶格半导体材料GaAs-Al_xGa_(1-x)As的物理特性及其在激光和大规模集成电路中的应用,评述了整数量子霍尔效应的主要理论。
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来源 ：
北京工业大学学报
年份： 1986
期： 02
页码： 107-117
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