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[期刊论文]
氢敏钯栅MOSFET的设计理论与性能分析
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＜正＞ 一、前言 半导体器件对周围环境具有高度灵敏性,过去大多数工作致力于降低这种敏感性以提高半导体器件的可靠性。近些年来,也开始研究利用这种敏感性。其中一个重要成果是用钯作栅金属的N沟金属——氧化物——半导体场效应晶体管(以下简称Pd—MOSFET)。这种晶体管的开启电压随器件周围气氛中氢气的浓度而变化,可以用来检测气体中的氢气含量。这种检测方法具有灵敏度高、快速、定量、选择
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来源 ：
传感器技术
年份： 1984
期： S1
页码： 86-93
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信息学部 信息与通信工程学院
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