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作者:

湯平 (湯平.) | 谈根林 (谈根林.)

摘要:

本文提出的集成双极晶体管模型,对一维模块模型本身作了多种改进,并将其推广到高偏压、大注入范围,能处理代表性很强的四种基本晶体管等图形。用本模型程序可由工艺和几何参数算得双极晶体管的EM_2或GP模型参数。本文还给出了比较精确简单的多射管的总体模型。用本模型对单管和IC(集成电路)性能的计算结果,与实测值相符较好。

关键词:

模型参数 双极晶体管 几何参数

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学无线电电子学系

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来源 :

北京工业大学学报

年份: 1984

期: 01

页码: 61-71

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