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作者:

李学信 (李学信.) | 林雅筠 (林雅筠.)

摘要:

本文研究了影响双极型硅晶体管电流增益h_(FE)温度特性的各种因素。计及基极电流非理想因子n的影响,引入了“禁带宽度视在变窄量”△E_(8a)的概念,提出了描述h_(FE)温度特性的理论模型。实验表明,降低发射区掺杂浓度和改变发射区的图形结构,对改善h_(FE)的温度特性十分有利。据此理论模型研制成功了电流增益温度特性优良的中小功率晶体管系列。

关键词:

双极型 发射区 掺杂浓度 晶体管电流增益 温度特性

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学无线电电子学系

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来源 :

电子学报

年份: 1984

期: 05

页码: 45-51

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