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[期刊论文]
氢敏钯栅MOSFET——设计理论与制造技术
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本文第一次提出了氢敏钯栅MOSFET的初步设计理论,并报告了自行设计、制造的钯栅MOSFET的结构、工艺和性能。在含氢1％的空气中开启电压与无氢时相比,下降量可达600mV,典型响应时间约半分钟左右。
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来源 ：
北京工业大学学报
年份： 1981
期： 01
页码： 16-23
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