＜正＞　近十年来,由于卫星通讯、相控阵雷达、电子对抗等军事电子学的高度发展,对微波功率晶体管可靠性提出越来越高的要求,器件工作寿命往往要求十年、廿年以上。　据阿列尼乌斯(Arrhenins)方程,可知器件的失效率随着结温的升高,呈指数的上升,一般认为硅器件结温每降低10℃,工作寿命可提高一倍。此外,降低结温尚可以提高器件在宽脉冲工作期间输出功率的下降,改善功率增益和效率。所以千方百计降低结温以提高功率器件的可靠性,提高输出功率和效率是当前功率器件主要研究课题。而微波功率晶体管为许多有源区并联而成,因此降低结温首先要防止热斑出现,保证电流均匀分布。实现这一目的的有力措施是采用发射极镇流电阻技术。