摘要：
本文研究了p~+/n、p/n~+、n~+/p和n/p~+不同结构的0.524 eV Ge Sn单结太阳电池的特性,探究了太阳电池的转化效率与发射区和基区厚度之间的关系。结果表明,p~+/n、p/n~+、n~+/p和n/p~+不同结构下均存在最优的转化效率,分别为21.6%、18.55%、21.2%和18.7%,对应的发射区/基区厚度分别为0.1/20μm、0.6/12μm、0.04/20μm和0.6/14μm。由于p~+/n和n~+/p结构中发射区为重掺杂(1019 cm-3),导致其最优效率所对应的发射区厚度比较薄,分别为0.1μm和0.04μm。对于p/n~+和n/p~+结构的最优效率大致...
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