摘要：
二硫化钼(MoS2)作为一种新型二维半导体材料,因其高开关比和高载流子迁移率等特性而在光电子器件具有应用前景。热应力对MoS2性能有较大影响,此前又缺乏对悬空MoS2热应力的研究,本文利用有限元方法对SiO2基层状MoS2的热应力进行了模拟分析。对衬底上有无微米孔的两种模型分别进行建模,模拟热应力的分布情况,并比较两种模型的热应力。分析了热应力与温度、MoS2层厚的关系。模拟结果表明,衬底支撑的MoS2热应力整体大于悬空MoS2的热应力,此外悬空MoS2周围衬底支撑的部分的热应力明显高于悬空部分。研究表明随着温度的降低、MoS2厚度的减小,都会使MoS2热应力的增大。这些研究结果对悬空器件以及...
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