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超低激发阈值柔性二氧化钒太赫兹波调制器
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＜正＞由于具有多激励、宽谱响应、插入损耗小和响应速度快等优势, VO_2是一种理想的THz波主动调制材料。但是,由于传统半导体基底存在缺乏柔性、热容大、热导率低和不导电等问题,在硬质基底上难以实现高性能VO_2基THz波主动调制器件。为解决上述问题,申请人将VO2生长在顺排CNT薄膜上。顺排CNT薄膜具有沿CNT轴向有序排列的特性。
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来源 ：
量子电子学报
年份： 2021
期： 01
卷： 38
页码： 123
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