紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UV　PD)受到研究人员的重视。GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点。GaN基UV　PD具有制备工艺简单、体积小无需附加滤光系统、易于与其他材料集成等特点,表现出优异的紫外光探测性能。围绕GaN基UV　PD,介绍了GaN材料在制备工艺上的研究进展;详细论述了常见结构GaN基UV　PD最新结构的优化对器件性能的影响;介绍了基于表面声波、表面等离激元和场效应晶体管集成的新型GaN基UV　PD;最后,对GaN基UV　PD的发展趋势进行了展望。