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赵彦晓 (赵彦晓.) | 张万荣 (张万荣.) | 谢红云 (谢红云.) | 高栋 (高栋.) | 赵飞义 (赵飞义.)

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本发明提供了一种宽带低噪声放大器,其包括第一双极型晶体管,第二双极型晶体管,第三双极型晶体管,第四双极型晶体管,第五双极型晶体管,第六双极型晶体管,第七双极型晶体管,第一MOS管,第二MOS管,第一电阻,第二电阻,第三电阻,第四电阻,第五电阻,第六电阻,第七电阻,第八电阻,第九电阻,第一电容,第二电容,第三电容,第四电容。该宽带低噪声放大器在保障宽带低噪声放大器良好的增益特性、良好的噪声特性的情况下,减小了芯片面积,同时实现了增益可调节。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN201410106213.2

申请日期: 2014-03-20

公开(公告)日: 2014-06-25

公开(公告)号: CN103888083A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 授权

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