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一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用
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一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用，属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳化钨纳米晶体。先在硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，然后在单壁碳纳米管阵列蒸镀W，再生成碳化钨纳米即可。在酸碱性条件下均具有电催化析氢作用且性能稳定。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201410596631.4
申请日期： 2014-10-29
公开(公告)日： 2015-05-13
公开(公告)号： CN104611697A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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