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一种高阶温度补偿的带隙基准电路
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一种高阶温度补偿的带隙基准电路,属于电子电路技术领域。具体包括一阶带隙基准电路,高阶温度补偿电路,以及零温度系数电流产生电路。本发明基于传统一阶温度补偿的带隙基准电路,利用工作在亚阈值区的MOS管电压-电流特性,产生与温度呈指数关系的高阶项,叠加于一阶带隙基准电压上,进而得到具有高阶温度补偿的带隙基准电压,比传统带隙基准具有更低的温度系数。该电路可以应用于振荡器、数据转换器等各种模拟集成电路中。
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专利基本信息 :
专利类型: 发明申请
申请(专利)号: CN201410147047.0
申请日期: 2014-04-14
公开(公告)日: 2015-10-14
公开(公告)号: CN104977968A
申请(专利权): 北京工业大学
法律状态: 授权
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