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一种快速评价半导体器件可靠性的方法
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本发明涉及一种快速评价半导体器件可靠性的方法，属于可靠性评价技术领域。该方法利用半导体器件的参数退化模型，对半导体器件的可靠性进行评价。参数退化模型是基于均相反应动力学原理，考虑退化过程中反应量的浓度变化规律建立的。本方法解决了退化量随时间单调退化、先上升后下降或先下降后上升等非单调退化等实验中半导体器件参数的不同退化规律问题，利用参数退化模型快速外推器件长期退化规律，评价器件的可靠性，缩短实验时间。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201310201219.3
申请日期： 2013-05-27
公开(公告)日： 2013-08-14
公开(公告)号： CN103246787A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 未缴年费
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