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一种垂直石墨烯纳米带、制备与在制备超级电容器中的应用
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一种垂直石墨烯纳米带、制备与在制备超级电容器中的应用，属于碳纳米材料制备技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直石墨烯纳米带，石墨烯纳米带由单壁碳纳米管展开而来，石墨烯纳米带依然保持与硅片垂直状态。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管，然后再将单壁碳纳米管展开。石墨烯纳米带应用在到超级电容器中。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201410596634.8
申请日期： 2014-10-29
公开(公告)日： 2015-05-13
公开(公告)号： CN104609396A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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