本发明公开一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管(DHPT)。采用双异质结结构，包括一InP发射区-InGaAsP基区构成的(e-b)异质结和一InGaAsP基区-InGaAsP集电区构成的(b-c)异质结，代替传统异质结光敏晶体管(HPT)e-b结单异质结结构；一掺杂浓度很高的InGaAsP基区作为DHPT的光吸收层；一InGaAsP基区，InGaAsP集电区和InGaAsP次集电区形成的渐变耦合脊波导结构实现被探测光被侧边探测吸收，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式。光传输方向与载流子传输方向垂直，能分别优化光吸收效率和工作速度。一发射极电极和集电极电极构成的行波电极，可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应，减少寄生电容对高速传输的影响，进一步提高器件的工作速度。