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埋多晶指内透明集电区绝缘栅双极晶体管及制造方法
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埋多晶指内透明集电区绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于绝缘栅双极晶体管技术领域。在外延缓冲层之前，通过薄膜生长工艺与光刻工艺形成二氧化硅或氮化硅介质条，再通过同步外延，形成局域交叉分布的多晶硅指。最终通过常规穿通型IGBT的制造工艺，在集电区近集电结附近形成具有埋多晶指结构的内透明集电极IGBT。本发明可控性强，适用范围广，有利于实现低成本和高成品率，且器件性能优良。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201310317124.8
申请日期： 2013-07-25
公开(公告)日： 2014-01-15
公开(公告)号： CN103515226A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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