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一种新型半导体KP15纳米线及其制备工艺
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本发明涉及一种新型半导体KP15纳米线及其制备工艺，该半导体纳米线的分子式为KP15，制备工艺为液相剥离或机械剥离。其优点是：所制备的半导体纳米线具有高各向异性，纳米线方向沿P15管方向，纳米线宽度最小可达80nm, 所制备的纳米线是通过液相剥离或机械剥离的方法直接从KP15块上剥离下来，液相剥离所用剥离溶液易挥发且所用设备简单易维护。所制得的纳米线对今后研究KP15半导体纳米线有着重要意义。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201510886442.5
申请日期： 2015-12-06
公开(公告)日： 2016-03-30
公开(公告)号： CN105439084A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 驳回
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