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一种制备基于垂直二维材料的纳米机电系统的工艺方法,属于纳米机电系统制备领域。在绝缘衬底上生长一层支撑体,然后图案化处理,生长一层金属催化剂层,进行图案化处理,形成支撑体‐金属催化剂‐支撑体阵列结构;支撑体和金属催化剂层的上表面和侧面用CVD法同时生长二维材料;二维材料的上表面和侧面旋涂一层聚合物,掩盖支撑体、金属催化剂层和二维材料;刻蚀聚合物直至刻蚀到支撑体和金属催化剂层的上表面出现,并将暴露出的附着在上表面的二维材料也刻蚀掉;将金属催化剂在溶液中腐蚀掉,并把聚合物溶解,释放出悬浮的垂直二维材料;干燥。本发明实现了可控地制备垂直二维材料,令使用二维材料制备3D结构的纳米机电系统成为可能。
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