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孙捷 (孙捷.) | 朱彦旭 (朱彦旭.) | 郭伟玲 (郭伟玲.) | 徐晨 (徐晨.) (学者:徐晨) | 韩军 (韩军.)

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摘要:

一种在CVD石墨烯上制备柔性器件和柔性衬底的工艺方法,属于基于纳米碳(石墨烯)的柔性电子技术领域。在石墨烯层上制备柔性电子器件功能结构,石墨烯层是用CVD生长在金属催化剂衬底片上的,然后在柔性电子器件功能结构上制备柔性衬底;采用电化学鼓泡法使金属催化剂衬底片与石墨烯层分离:在电解槽中,将上述石墨烯的产品作为阴极,进行水的直流电解,在电解液的辅助下于阴极产生的氢气泡渗入金属催化剂衬底片与石墨烯层的界面间,最终分开;最后在表面涂覆石墨烯钝化层。本发明缩短了工艺流程、降低了成本,减小了对环境的重金属污染。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN201310193868.3

申请日期: 2013-05-23

公开(公告)日: 2013-09-04

公开(公告)号: CN103280541A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 未缴年费

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