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郑坤 (郑坤.) (学者:郑坤) | 王疆靖 (王疆靖.) | 高攀 (高攀.) | 韩晓东 (韩晓东.) (学者:韩晓东)

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摘要:

电子束诱导沉积制备碳纳米管的方法涉及纳米微复合材料领域。本发明抽出单根半导体纳米线,并通过电子束诱导沉积技术使其表面包裹一层非晶碳层,形成纳米线和非晶碳层的“核壳结构”,再对其加载偏压,电流产生的焦耳热使纳米线熔化并将其驱赶出纳米管,同时焦耳热也使得非晶碳转化成层状多晶,最终得到单根碳纳米管。本发明可以精确控制碳纳米管的长度、直径和壁厚等参数,并可以即时对其形成过程进行原位研究,为碳纳米管的生长机理研究提供充分的数据。由于没有掺杂和催化剂,本发明所获得的碳纳米管纯度极高。本发明也可以推广到制备碳纳米管阵列。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN201310657117.2

申请日期: 2013-12-08

公开(公告)日: 2014-04-02

公开(公告)号: CN103693634A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 未缴年费

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