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一种半导体器件界面热阻的测试方法,在防自激电路保证半导体器件不会产生自激的条件下,基于电学法热阻测试仪对器件的瞬态温升进行测量,利用结构函数法对器件内部多层材料热阻、热容进行分析,提取芯片热阻值。利用提取的芯片热阻值,得到该固定面积下器件在不同SiC层厚度的条件下4个样品的总热阻值。接下来对测得的数据进行分析,通过数据计算出单位厚度的GaN所带来的热阻的增量,同时,通过数据计算出单位厚度的SiC所带来的热阻的增量,通过以上计算分析,得到要测的器件的界面热阻Rth(界面)。
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