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摘要：
一种用于测量铜填充TSV孔界面强度的测试方法，属于三维电子封装测试领域。使用纳米压痕仪将TSV电镀铜柱从TSV通孔中压出，得到压出过程中压头上的载荷/位移曲线，并在压出的不同阶段进行卸载再加载，得到卸载、加载曲线。并使用原子力显微镜(AMF)得到卸载后铜柱顶端距TSV转接板上表面的距离。通过分析可以得到界面发生破坏所消耗的能量即界面开裂功，用界面开裂功除以发生破坏界面的面积既可以得到界面的临界应变能释放率。使用该方法可以得到TSV在实际生产过程中不同电镀工艺产生的界面的强度，通过对比选择最适合的电镀工艺，以提高TSV在服役过程中的可靠性。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201310134457.7
申请日期： 2013-04-17
公开(公告)日： 2013-07-10
公开(公告)号： CN103196828A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 未缴年费
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