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本发明公开了紫外激光干涉灼蚀有机半导体激光器直写方法，属于纳米光电子材料及器件技术领域，包括以下步骤：1)制备荧光发射有机半导体材料有机溶液；2)将荧光发射有机半导体溶液旋涂在基底上，获得厚度均匀的有机半导体薄膜，薄膜的厚度为50-500nm；3)将强紫外激光干涉图案与有机半导体薄膜作用，使得干涉亮条纹区的有机半导体薄膜在瞬间被灼蚀掉，而留下未曝光区。本发明成本低廉，可制备大面积一维、二维有机半导体激光器，重复性好，制备效率高，周期可控。
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